第44章 基础突破（1/2）

第一次量子比特芯片制备的失败，如同一盆冷水浇在了原本斗志昂扬的默研社团队头上，给整个实验室蒙上了一层挥之不去的阴霾。

连续工作了36个小时的周锐，顶着两个浓重的黑眼圈，手里攥着一沓厚厚的分析报告，步履沉重地走向林默的办公室。他深吸一口气，推开门向林默汇报道：林总，我们团队已经反复排查了所有工艺步骤，前后重复了三次完整的制备流程，但结果都如出一辙。量子比特的相干时间始终只能达到理论预测值的十分之一。说到这里，他的声音微微发颤，我们不得不怀疑...是不是在设计方案中，我们对界面缺陷的容忍度评估过于乐观了？这番话里透着掩饰不住的沮丧和自我怀疑，仿佛在质疑团队这一个月的努力是否都走错了方向。

实验室里的其他成员也都放下了手中的工作，不约而同地将目光投向林默。空气中弥漫着紧张的气氛，每个人都在等待这位年轻的天才创始人给出最终判断。如果问题真的出在核心设计理念上，那意味着他们过去一个月的辛勤工作可能都要推倒重来。

林默始终保持着令人捉摸不透的沉默。他伸手接过那片失败的芯片样品，缓步走向实验室角落里那台造型独特的电子显微镜。这台设备是经过林默亲自改良的，其分辨率远超市面上任何同类产品，甚至达到了国际领先水平。

当芯片的微观结构清晰地呈现在屏幕上时，所有人都屏住了呼吸。图像显示，芯片的整体结构基本符合设计预期，但在最关键的量子点区域边缘，却出现了令人担忧的异常现象——一些微小的、非预期的晶格畸变和杂质吸附清晰可见。

不是设计问题。林默仔细观察片刻后，斩钉截铁地给出了结论，问题出在制备环境中的微量含碳杂质污染，以及在刻蚀工艺的最后阶段，等离子体的能量稳定性出现了纳米秒级别的波动，这些因素共同导致了界面态的产生。令人震惊的是，他不仅准确指出了问题根源，甚至精确到了具体的杂质元素种类和能量波动的精确时间尺度！

周锐和团队成员们面面相觑，脸上写满了难以置信。要知道，这种级别的微观缺陷，按照常规流程至少需要耗费数周时间，动用各种精密分析仪器才能确定。而林默竟然仅凭肉眼观察显微镜图像，就在短短几分钟内做出了如此精准的判断！

林总，您...您是怎么一眼就看出来的？一位年轻的研究员终于按捺不住内心的震撼，脱口问出了所有人的疑惑。

林默没有多做解释，而是立即下达了明确的改进指令：第一，立即升级所有工艺腔体的密封系统，更换我指定的新型复合材料，同时全面升级气体纯化系统。第二，重新校准刻蚀设备的电源模块，重点调整其高频反馈电路的阻尼系数，具体参数我会发到你们的工作站。第三，在沉积阻挡层之前，增加一道原位低温氢等离子体处理工序，专门用于钝化表面悬挂键。

这些指令条理分明、切中要害，每一个改进点都直指问题的核心所在。周锐听完后仿佛被打了一剂强心针，立即带领团队投入到紧张的改进工作中。

在接下来的三天里，整个团队在林默的亲自指导下，完成了材料更换、参数调整、工序优化等一系列改进工作。令人惊叹的是，林默对设备内部构造和工作原理的了解程度之深，甚至让设备供应商派来的资深工程师都自叹不如。那些看似细微的改动，往往能起到四两拨千斤的神奇效果。

三天后，改进后的全新工艺终于准备就绪。第二次流片在一片既紧张又期待的氛围中正式开始。这一次，所有参与人员都守候在纳米加工中心的外间，透过观察窗紧盯着内部全自动运行的设备。就连一向沉稳的林默也静静地站在窗前，虽然面色如常，但微微握紧的拳头还是暴露了他内心的不平静。这不仅是一次芯片制备的成败考验，更是对他从【深空知识库】中获取的前沿技术能否在这个现实世界成功实现的关键验证。

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